1603HES1149-1系列線性限幅器
性能特點
l頻率范圍：10-5000MHz
l插入損耗：0.6dB
l低限幅電平：11dBm
l高輸入P-1：10dBm
l高三階交調抑制：60dBc
l高耐功率：5W(CW)
l快速響應時間：10ns
l小封裝尺寸：5×5×2.2mm
典型應用
lAD前端保護
l軍事航天
l無線通信設備
l雷達
l測試測量
l儀器儀表
概述
隨著電子技術發展與半導體工藝的進步，接收鏈路的線性度越來越高，中頻放大器的線性功率輸出可達10dBm，飽和功率可達20dBm甚至1W，AD等精密器件的保護問題凸顯。傳統限幅器起限功率小，漏功率高，功率泄露不平坦，線性度差，很難滿足保護AD芯片的要求。
HES1149-1系列限幅器起限功率高(P-1可高達10dBm)，線性度好，功率泄露平坦，漏功率低(可低至13dBm)。金屬陶瓷管殼，平行封焊，氣密封裝，表面貼裝；薄膜工藝，穩定可靠，可滿足宇航級應用。
電性能表 （50Ω測試系統，TA=+25℃）
型號 | 頻率范圍(MHz) | 差損a(dB) | 駐波a | 限幅電平b (dBm) | 輸入P-1(dBm) | 三階交調抑制c (dBc) | 最大承受功率(W) | |||||
Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Min | Typ | Min | |||
HES1149-1 | 10-2000 | 0.4 | 0.8 | 1.5:1 | 1.8:1 | 11 | 13 | 7 | 6 | 55 | 45 | 2 |
2000-5000 | 1.0 | 1.4 | 1.5:1 | 1.8:1 | 9 | 11 | 6 | 5 | 45 | 35 | 2 | |
HES1149-1A | 60-80 | 0.5 | 0.8 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 65 | 60 | 5 |
HES1149-1B | 100-150 | 0.5 | 0.9 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 65 | 60 | 5 |
HES1149-1C | 200-300 | 0.6 | 1.0 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 65 | 60 | 5 |
HES1149-1D | 300-500 | 0.6 | 1.0 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 60 | 55 | 5 |
HES1149-1E | 700-1000 | 0.7 | 1.2 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 9 | 8 | 60 | 55 | 5 |
HES1149-1F | 1000-1500 | 0.8 | 1.2 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 9 | 8 | 60 | 55 | 5 |
HES1149-1G | 2000-3000 | 0.9 | 1.2 | 1.5:1 | 1.8:1 | 11 | 13 | 9 | 8 | 55 | 50 | 5 |
注：“a” Pin=-20dBm；“b” Pin=25dBm；“c” Pin=0dBm，Δf=1MHz。
典型曲線
極限參數
最大輸入功率 | 5W(CW) |
存儲溫度 | -65~+125℃ |
工作溫度 | -55~+85℃ |
使用說明
1.電路圖按照上圖連接，內部集成隔直電容；
2.低頻及宇航級產品需用戶外置隔直電容；
3.限幅功率較高，使用中注意散熱；
4.可提供用戶定制的其它頻段產品；
5.背面需良好接地。
外形尺寸
